1. 内存架构和子系统

1.1 如何控制访问？

访问控制:

• 存储单元的访问是通过 访问晶体管（access transistors） 进行控制的。访问晶体管像开关一样，可以连接或断开存储单元和位线（bitline）的连接。
• 存取控制由 字线（wordline） 控制。当字线激活时，访问晶体管开启，允许存储单元的数据流入或流出位线。

DRAM（Dynamic random access memory）的结构:

• DRAM 中的存储单元通常由一个电容和一个晶体管组成。电容用来存储数据（1或0），而晶体管作为访问开关。
• 由于电容会泄漏电荷，DRAM 需要周期性刷新数据来保持信息的完整性。

SRAM 的结构:

• SRAM 中的存储单元由 交叉耦合反相器（cross-coupled inverters） 组成，通常是两个反相器互相连接，形成一个稳定的双稳态结构。
• SRAM 需要 4 个晶体管用于存储，2 个晶体管用于访问。
• SRAM 不需要像 DRAM 那样周期性刷新数据，因为它的电路结构使其能够长时间保持数据，直到被改写。

差异:

• DRAM 的电路结构相对简单，占用的物理空间小，因此具有更高的存储密度，但需要刷新电路。
• SRAM 的电路结构更复杂，占用更多的空间，因此存储密度较低，但其访问速度较快且不需要刷新。

1.2 内存架构

DIMM：背面和正面装有 DRAM 芯片的印刷电路板.

Rank：一组 DRAM 芯片，它们协同工作以响应请求并保持数据总线满载.

64位数据总线需要 8x8 DRAM 芯片或 4x16 DRAM 芯片... 。

Bank：在一次请求期间忙碌的一个rank的子集.

行缓冲区（Row buffer）：从组中读取的最后一行（如 8 KB），作用类似于缓存.

通道（Channel）：每个通道通过命令总线（cmd bus）、地址总线（addr bus）和数据总线（data bus）与处理器相连，用于发送命令、地址和数据。这些总线允许处理器并行地与多个内存模块进行交互，从而提高系统的并行性.

内存控制器（MemCtrl）：处理器通过内存控制器（MemCtrl）来管理对内存的访问。内存控制器负责内存请求的调度，并通过通道将数据发送到内存的特定区域.

Rank：在存储器模块中，每个通道包含一个或多个rank。rank是由多个bank组成的，它们在处理数据时可以同时访问.

Bank：每个rank包含多个bank，bank是rank的子集，每次访问期间只有一个bank处于繁忙状态。每个bank可以独立进行数据的存储和访问，使得系统能够在不同的bank之间并行处理数据，进一步提高内存的效率和带宽.

这种分层结构允许内存系统在不同的bank和rank之间进行并行访问，提高了内存带宽和数据处理效率。这种设计被广泛应用于DRAM中，以减少延迟并提高数据吞吐量.

1.3 DRAM 阵列访问

这是一个 \(16Mb\) 的DRAM阵列，即有 \(4096\times4096\) 阵列的bits.

行访问选通 (Row Access Strobe, RAS)：由于该DRAM阵列有4096行，因此有\(log_{2}^{4096}=12 bits\)行地址，在访问数据时，12bits 行地址位最先到达.

列访问选通（Column Access Strobe，CAS）：由于该DRAM阵列有4096列，因此有\(log_{2}^{4096}=12 bits\)列地址，在访问数据时，12bits 列地址位比行地址位后到达.

行访问选通到达后，DRAM读取一行数据（即4096bits）至行缓冲区（Row buffer），随后列访问选通到达，经过列解码器（Column decoder）从 Row buffer 读取数据返回 CPU.

1.4 内存 Bank 的组织和运行

读取访问顺序:

1. 解码行地址并驱动字线（word-lines）
2. 选定位并驱动位线（bit-lines） - 整行读取
3. 放大行数据
4. 解码列地址并选择行的子集 - 发送至输出端
5. 位线（bit-lines）预充电 - 用于下一次访问

1.5 DRAM 主存储器

• 主存储器存储在 DRAM 单元中，其存储密度要高得多 。

• DRAM 单元会随着时间的推移而丢失状态 - 必须定期刷新，因此被称为动态存储器 。

• DRAM 存取时间长，能源开销大 。

1.6 DRAM vs. SRAM

DRAM

• 访问速度较慢（电容器）
• 密度较高（1T 1C cell）
• 成本较低
• 需要刷新（功率、性能、电路）
• 制造时需要将电容器和逻辑器件放在一起

SRAM

• 访问速度较快（无电容器）
• 密度较低（6T cell）
• 成本较高
• 无需刷新
• 制造时与逻辑工艺兼容（无电容器）

1.7 Rank 的组织结构

• DIMM、rank、bank、array -> 在存储组织中形成一个层次结构 。

• 由于电气限制，总线上只能连接几个 DIMM 。

• 一个 DIMM 可有 1~4 ranks 。

• 为提高能效，应使用宽输出 DRAM 芯片 —— 每次请求只激活 \(4\times16bits\) 芯片比激活 \(16\times 4bits\) 芯片更好 。

• 为高容量，应使用窄输出 DRAM 芯片 —— 由于通道上的 rank 数有限，使用 \(16 \times 4bits\ 2Gb\) 芯片比使用 \(4 \times 16bits\ 2Gb\) 芯片可提高每个 rank 的容量 。

1.8 Banks 和 Arrays 的组织结构

• 一个 rank 被分成多个 banks（4~16 个），以提高 rank 内的并行性，通过在不同的bank之间进行操作，可以实现并行访问。
• ranks 和 banks 提供内存级并行性，通过将数据分散在不同的ranks和banks中，内存系统能够同时处理多个内存请求，从而提升内存的并行处理能力。
• 一个 bank 由多个 arrays（subarrays、tiles、mats）组成
• 为了最大限度地提高密度，bank 中的 arrays 要做得很大：为了在有限空间内存储更多数据，每个 bank 内的 array 被设计得很大。这意味着 array 中的行很宽，因此行缓冲区（row buffer）也很宽。例如，当内存请求为 \(64Bytes\) 时，实际上可能会读取 $8KBytes $的数据（称为 过量读取（overfetch）），以充分利用宽行缓冲区的特性。
• 每个array每个周期向输出引脚提供一位数据：为了实现更高的存储密度，每个 array 在每个时钟周期内只提供1位数据到输出引脚。这种设计虽然降低了单次传输的数据量，但提高了系统的总存储密度，适合需要存储大量数据的情况。

这种组织方式通过多个层次（ranks、banks、arrays）的划分，实现了高密度的存储，同时也通过并行访问多个banks和ranks，提升了内存系统的并行性和性能.

1.9 行缓冲区（Row Buffers）

• 每个 bank 都有一个行缓冲器
• 行缓冲区在DRAM中充当缓存的作用。
  • 行缓冲器命中（Row buffer hit）：约 20 ns 访问时间（只需将数据从行缓冲区移至引脚）
  • 空行缓冲区访问（Empty row buffer access）：约 40ns（首先需要读取array，然后将数据从行缓冲区移到引脚）。
  • 行缓冲区冲突（Row buffer conflict）：约 60ns（首先需要预充电 bit-lines，然后读取新行，再将数据移到引脚）。
• 另外，还需在队列中等待（数十ns），并且还要经历地址/命令/数据传输延迟（约10ns）。

1.10 构建更大的存储器

我们需要更大的存储阵列，但是大阵列意味着访问速度慢.

如何在保证存储器容量大的同时不使其变得非常慢?

Idea：将存储器划分为更小的阵列，并将这些阵列与输入/输出总线互连.

• 大容量存储器通常是分层的阵列结构。
• DRAM的分层结构：通道（Channel）→ Rank → 存储体 → 子阵列（Subarrays）→ 矩阵（Mats）

2. DRAM 子系统组织

2.1 通用内存结构

上图展示了一个通用的内存结构，主要包括以下组件:

1. Memory Controller（内存控制器）：负责管理内存数据的读写操作。图中显示了两个内存控制器，每个控制器通过一个通道（channel）与内存模块相连。
2. Channel（通道）：内存控制器和内存之间的数据传输通道，允许多个控制器访问不同的内存模块，提高内存的带宽。
3. DRAM（动态随机存取存储器）：DRAM模块通过多个“rank”组织，每个rank又包含若干个“bank”，进一步提高并行性和效率。
4. Rank：内存中的一个逻辑组织单元，由多个物理内存芯片组成，便于内存控制器的访问管理。
5. Bank：内存的更小单位，支持多路并发访问。每个bank内又包含多个行（row）和列（column）。
6. Row（行）和 Column（列）：bank内存储数据的基本单位，通过行和列的地址确定具体的数据位置。
7. Cache Line（缓存行）：CPU读取数据的基本单位，一次读取的数据块大小。通过cache line的设计提高数据传输效率。

2.2 通用原则：交替访问（Banking）

交替访问（Interleaving）（banking 存储库） 。

• Problem：一个单一的大型内存阵列访问时间长，且无法实现并行的多次访问。
• Goal：降低内存阵列的访问延迟，并实现并行的多次访问。
• Idea：将一个大型阵列划分为多个可以独立访问的存储库（bank），这些 bank 可以在同一个周期或连续的周期内进行访问。
  • 每个 bank 都比整个内存存储要小。
  • 对不同 bank 的访问可以重叠。
  • 访问延迟是可控的。

2.3 内存 Banking 示例

• 内存分为多个存储库（banks）：这些存储库可以独立访问，从而实现并行的多次访问。这种结构将内存划分为多个bank，每个bank可以独立完成数据的读写操作，减少了等待时间。
• 共享地址和数据总线：多个存储库共享地址总线和数据总线，这样设计可以减少内存芯片的引脚数量，从而降低硬件复杂度和成本。
• 每周期完成一个bank的访问：通过并行访问不同的bank，在每个周期内可以启动和完成对一个存储库的访问，提升了整体的内存访问效率。
• 支持N个并发访问：如果所有N个访问请求都指向不同的bank，那么系统可以支持N个并发的内存访问请求。这意味着如果内存访问请求均匀分布到不同的bank上，可以充分利用内存带宽，实现高效的并行处理。

• 图中显示了16个存储库（Bank 0 至 Bank 15）。
• 每个bank都有其独立的内存数据寄存器（MDR）和内存地址寄存器（MAR），用于存储正在传输的数据和地址信息。
• 这些存储库通过数据总线与CPU相连，数据总线负责数据的传输，地址总线负责地址信息的传输。

2.4 DRAM 子系统

图中间的处理器通过两个独立的内存通道与内存模块相连，每个通道内可以插入多条内存条（DIMM，即双列直插内存模块），通道负责将数据传输到内存和处理器之间.

2.4.1 分解 DIMM（模块）

上图中展示了DIMM的正面和背面:

• Rank 0：位于DIMM的正面，由8个芯片组成。
• Rank 1：位于DIMM的背面，也由8个芯片组成。

2.4.2 分解 Rank

每个 Memory channel 包括:

• Addr/Cmd：表示地址和指令信号，用于向不同的Rank发送内存访问请求。
• CS（Chip Select）：选择信号，用于选择哪个Rank进行操作。在图中，CS <0:1> 表示控制信号，选择Rank 0 或 Rank 1。
• Data <0:63>：数据总线，提供64位数据通道，用于传输数据。

一个内存 Rank 内部是由多个芯片（Chip）构成的:

Rank 0被分解为多个芯片，从Chip 0到Chip 7。每个芯片负责部分数据位:

• Chip 0负责数据位0到7（<0:7>）。
• Chip 1负责数据位8到15（<8:15>）。
• 依此类推，直到Chip 7负责数据位56到63（<56:63>）。

64位数据通道：所有芯片通过各自负责的8位数据位共同组成了64位的数据通道（Data <0:63>），从而实现并行数据的传输。这种设计允许Rank内多个芯片同时工作，提高了数据访问效率.

2.4.3 分解 Chip

一个内存 Chip 内部是由多个存储库（Banks）构成的:

Chip 0：图的左侧的 Chip 0，它负责8位的数据通道（<0:7>），表示该芯片只传输数据的0到7位.

内部存储单元（Banks）：在右侧的放大图中，Chip 0进一步被分解为8个独立的存储单元（称为“Banks”）。每个Bank都可以独立地存储和读取数据，允许芯片同时处理多个数据请求，提高数据传输的并行性.

2.4.4 分解 Bank

一个内存 Bank 内部是由多个大小为 1Byte 的 Arrays构成的:

• 先读取一个行，将该行缓存到 Row-buffer 中
• 再根据 column 地址从 Row-buffer 中取出大小为 1Byte（即 8bits）的数据

2.4.5 深入挖掘：DRAM Bank 操作

第1次访问（Row，Column 0）:

Step 1： Row address 0到达，word-lines 被激活，bit-lines 被连接到感测放大器.

Step 2：感测放大器感知该行内容，捕捉数据放入 Row Buffer.

Step 3：Column address 0到达，选择列.

Step 4：最后数据被读出.

第2次访问（Row 0，Column 1）:

由于 Row Buffer HIT，数据很快被读取出.

第3次访问（Row 0，Column 85）:

同样由于 Row Buffer HIT，数据很快被读取出.

第4次访问（Row 1，Column 0）:

出现 Row Buffer Conflict（冲突）！ 。

Step 1：将行写回，即预充电，使得下次访问的数据可靠，增加了延迟.

Step 2：Row address 1到达，word-lines 被激活，bit-lines 被连接到感测放大器.

Step 3：感测放大器感知该行内容，捕捉数据放入 Row Buffer.

Step 4：Column address 0到达，选择列.

Step 5：最后数据被读出.

2.5 DRAM Bank 内部有 Sub-Banks

左图 (a) 是逻辑抽象图，展示了一个 DRAM bank 的传统表示法，其中包含行(row)、行解码器(row-decoder)和一个大的行缓冲区(row-buffer)。在逻辑抽象中，bank 似乎是一个整体，有着多达 32K 行的数据.

右图 (b) 是实际的物理实现。一个 DRAM bank 实际上被分割为多个子阵列 (Subarray)，每个子阵列拥有自己的局部行缓冲区 (local row-buffer)，并且每个子阵列由512行组成。这里显示了从第1个子阵列到第64个子阵列的结构。这些子阵列通过全局解码器 (global decoder) 连接到整个 bank 的全局行缓冲区 (global row-buffer).

• 逻辑抽象：在逻辑上，bank 被认为是一个单一的整体结构，所有行共享一个行缓冲区。
• 物理实现：实际上，bank 被划分成多个子阵列以提升访问效率。每个子阵列具有自己的局部行缓冲区，使得在不同子阵列之间可以并行处理数据，以提高并行度和性能。

这种设计通过将 bank 分为多个子阵列来增强访问速度和并行性，从而减少等待时间并提升DRAM性能.

2.6 Example：传输缓存块

• 传输一个 64B 的高速缓存块需要 8 个 I/O 周期。
• 在此过程中，8 列按顺序被读取。

Step 1:

Step 2:

Step 3:

Step 4:

3. 内存控制器

3.1 打开/关闭页策略(Open/Closed Page Policies)

• 如果访问流具有局部性，则行缓冲区会保持打开状态
  • 行缓冲命中成本低（打开页策略(open-page policy)）
  • 行缓冲未命中是存储库冲突，代价高昂，因为预充电在关键路径上
• 如果访问流几乎没有局部性，则位线（bit-lines）在访问后立即进行预充电（关闭页策略(close-page policy)）
  • 几乎每次访问都是行缓冲未命中
  • 预充电通常不在关键路径上
• 现代内存控制器策略介于这两者之间（通常是专有的）

3.2 读写操作

• 读取和写入操作使用同一条总线.

• 在切换读取和写入操作时，必须反转总线方向；这需要时间，并导致总线空闲.

• 因此，写入操作通常以突发方式进行；写缓冲区会存储待处理的写入，直到达到高水位标记.

• 写入操作会一直进行，直到达到低水位标记.

• 高水位标记（High Water Mark）：这是缓冲区中数据达到的一个预定的上限。当缓冲区中的数据量达到这个标记时，系统就会触发某些操作，例如开始写入数据（如在存储器中）或停止进一步的数据写入到缓冲区中，以避免缓冲区溢出.

• 低水位标记（Low Water Mark）：这是缓冲区中的数据量达到的一个预定的下限。当缓冲区中的数据量减少到这个标记时，系统可以重新开启数据写入或进行其他操作，确保缓冲区不会因为数据不足而影响性能.

3.3 地址映射策略

• 可将连续的缓存行放置在同一行中，以提高行缓冲区命中率
• 可将连续的缓存行放置在不同行中，以提高并行性
• 地址映射策略示例：
  • row : rank : ​bank : ​channel : column : blkoffset
  • row : column : rank : bank : channel : blkoffset

3.4 调度策略

• FCFS（先到先服务）：处理队列中第一个可以执行的读或写请求.

  • 在FCFS策略中，系统按照请求到达的顺序依次执行。只要一个请求准备好（符合执行条件），就会立即被执行。这个方法简单，但在内存访问中可能无法充分利用行缓冲（row buffer）命中，导致性能不高。

• First Ready - FCFS（优先行缓冲命中 - 先到先服务）：优先处理行缓冲命中的请求，如果可能的话.

  • 这个策略首先检查是否有请求可以命中行缓冲（即当前行已经在内存的行缓冲区中）。如果有，就优先处理这些命中请求，因为这样可以减少行开销，提高访问速度。如果没有行缓冲命中，则按照先到先服务的方式处理。

• Stall Time Fair（等待时间公平）：优先处理行缓冲命中的请求，除非其他线程被忽略了.

• 这个策略在优先行缓冲命中的基础上增加了公平性。如果多个线程在竞争内存访问，则该策略会在尽量优先行缓冲命中的同时，保证所有线程都能得到公平的访问机会，不让某些线程一直被延迟。这种方法有助于平衡多线程环境下的资源分配.

3.5 刷新（Refresh）

DRAM（动态随机存取存储器）中的每个存储单元都由电容存储电荷来表示数据。由于电容电荷会随时间逐渐泄漏，因此需要定期刷新来补充电荷，以确保数据不丢失.

• 刷新时间窗口：所有DRAM单元必须在64毫秒内刷新一次，防止数据因电荷泄漏而丢失.

• 自动刷新：当对某一行执行读或写操作时，该行会自动进行刷新，帮助延长数据保持时间.

• 刷新指令的影响：每次刷新指令会刷新一定数量的行。在刷新过程中，内存暂时不可用，这可能导致微小的延迟.

• 刷新频率：内存控制器通常会平均每7.8微秒发出一次刷新指令，以分散刷新负担，避免集中刷新带来的性能影响.

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