c - 了解STM32引用手册中的写入flash流程

Question

我正在对 stm32l412kb 进行编程，有一次我会将数据写入闪存(从 UART)。来自 stm32l41xx reference manual ，我了解如何在写入之前清除内存的步骤，但在第 84 页有一个步骤，我不知道在写入实际数据时该怎么做。这一步是

Perform the data write operation at the desired memory address

它提到了什么数据写入操作？我看不到内存地址所在的任何寄存器，所以我假设它会使用指针？我该怎么做呢？

非常感谢您的帮助，非常感谢，

哈利

Answer 1

除了几件事(例如，仅在删除后写入、时序、对齐、锁定/解锁)之外，写入 RAM 和写入 FLASH 存储器之间并没有太大区别。因此，如果您按照引用手册中的步骤操作并且闪存已准备就绪(即已清除和解锁)，那么您只需获取对齐的内存地址并写入即可。

STM 自己的 HAL 库包含一个函数，它可以为您完成所有繁琐的样板文件并允许您“只写”:

HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint64_t Data)

这个函数在内部使用一个执行实际写入的子程序，它看起来像这样:

static void FLASH_Program_DoubleWord(uint32_t Address, uint64_t Data)
{
  /* Check the parameters */
  assert_param(IS_FLASH_PROGRAM_ADDRESS(Address));

  /* Set PG bit */
  SET_BIT(FLASH->CR, FLASH_CR_PG);

  /* Program first word */
  *(__IO uint32_t*)Address = (uint32_t)Data;

  /* Barrier to ensure programming is performed in 2 steps, in right order
    (independently of compiler optimization behavior) */
  __ISB();

  /* Program second word */
  *(__IO uint32_t*)(Address+4U) = (uint32_t)(Data >> 32);
}

如您所见，其中不涉及魔法。它只是一个取消引用的指针和一个赋值。