c - 作为 EEPROM 的串行闪存仿真

Question

我正在现有板上开发一个应用程序。应用程序需要频繁的数据(仅10字节)存储，所以我想将外部闪存模拟为 EEPROM因为我的主板没有 EEPROM。我们有外部 spi 闪存。任何人都可以在这个模拟中帮助我，或者请向我推荐任何一个其他方法来完全满足我的申请要求。

Answer 1

有许多库可以满足您的需求。几年前，我使用了他们为并行闪存芯片提供的英特尔库。

他们使用的技术是使用额外的字节来指定闪存中的哪个值是有效的，以及它占用了多少字节。例如，第一次写入值时，有效标志为高电平。当字节被重写时，旧数据上的有效标志被设置为低，并且新值和标志/字节计数数据紧接着旧值被写入闪存中。读取值时，从第一个位置开始，如果有效标志为低，则使用计数移动到存储新值的位置，依此类推，直到找到有效标志为高的值。

当整个扇区都以这种方式使用时，您需要读取当前值，删除该扇区，并在开始时重新写入当前值。

此技术之所以有效，是因为闪存位可以从高电平更改为低电平，但在不删除的情况下无法从低电平更改回高电平。

这个解释有点简单，我相信网络上会有一个教程。