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在STM32L1xx上实现的flash ECC算法(Flash Error Correction Code)是如何工作的?
背景:我想对 STM32L151 MCU 程序闪存中的单个字进行多次增量写入,而不在其间进行页面删除。没有 ECC,可以增量设置位,例如首先是 0x00,然后是 0x01,然后是 0x03(STM32L1 将位删除为 0 而不是 1),等等。由于 STM32L1 每个字有 8 位 ECC,因此此方法不起作用。然而,如果我们知道 ECC 算法,我们可以轻松找到一个短的值序列,可以在不违反 ECC 的情况下增量写入。
我们可以简单地尝试不同的值序列并查看哪些有效(一个这样的序列是 0x0000001、0x00000101、0x00030101、0x03030101),但是如果我们不知道 ECC 算法,我们就无法检查序列是否有效违反了 ECC,在这种情况下,如果位被破坏,纠错将不起作用。
[编辑] 该功能应该用于使用 STM32L1 的内部程序存储器实现一个简单的文件系统。数据 block 标有 header , header 包含状态。多个 block 可以驻留在单个页面上。状态可以随时间变化(首先是"new",然后是“已用”,然后是“已删除”,等等)。状态的数量很少,但如果我们可以覆盖以前的状态而不必先删除整个页面,事情就会变得容易得多。
最佳答案
感谢任何意见!由于到目前为止还没有答案,我将总结一下我到目前为止发现的内容(根据经验和对此答案的评论):
以下是我的个人结论,基于经验发现、有限的研究和来自该主题的评论。它不是基于官方文档。不要在上面做任何严肃的工作(我也不会)!
每个单词的 ECC 可能与单词本身写入相同的非 volatile 内存。因此,同样的限制适用。 IE。在删除之间,只能设置额外的位。正如斯塔克指出的那样,我们只能用以下值覆盖程序内存中的单词:
如果我们写入一个值,它只设置额外的位,但 ECC 需要清除位(因此无法正确写入),那么:
我们不能(轻易地)凭经验找出哪些值序列可以正确写入,哪些不能。如果可以正确地写入和读回一系列值,我们就不知道,这是否是由于单比特错误的自动纠正。这方面是这个问题要求实际算法的全部原因。
ECC 算法本身似乎没有记录。汉明码似乎是 ECC 的常用算法,在 AN4750 中他们写道,汉明码实际上用于 SRAM 中的纠错。该算法可能用于也可能不用于 STM32L1 的程序存储器。
STM32L1 reference manual似乎并没有明确禁止在不删除的情况下多次写入程序内存,但是也没有文档说明相反的情况。为了不使用未记录的功能,我们将避免在我们的产品中使用此类功能并寻找解决方法。
关于algorithm - STM32L1xx 上的闪存 ECC 算法,我们在Stack Overflow上找到一个类似的问题: https://stackoverflow.com/questions/50585866/
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