ios - GLSL ES 裁剪顶点到远平面

Question

我在我的 iPhone 上玩弄阴影体积，如果阴影体积上限被远平面裁剪，则一切正常。

由于 gl_ClipVertex 在 GLSL ES 中不可用，我如何将 gl_Position.z 剪辑到远平面？我已经尝试使用 gl_Position.z = gl_Position.w，但结果是错误的，阴影体积似乎跟随相机方向。还有其他方法吗？

Answer 1

为了使阴影体积起作用，您可能需要避免 cap 被远平面剪裁。为此，要么增加深度范围(将远平面移得更远)，要么减少挤压量。

有许多阴影体积技术，其中一些是专门为避免深度封顶而设计的。我最喜欢的是 Carmack 的逆向，只要您知道几何体的边界框(Carmack 使用 BSP 树，所以对他来说很容易)，它就可以很好地工作，因为这样您就可以确切地知道将阴影体积挤出多远。此外，如果光线非常靠近阴影转换对象，则可能需要进行一些裁剪(否则不是远盖，但体积的角最终会被裁剪)。虽然这很容易解释，但实现起来却相当困难。还有一些其他算法，更适合在 GPU 上进行简单实现(参见此处 http://www.nvidia.com.br/object/robust_shadow_volumes.html)。

希望这对您有所帮助，如果您需要进一步的帮助，请随时发表评论。