memory - 断电时如何防止 "partial write"数据损坏？

Question

在嵌入式环境中(使用 MSP430)，我看到一些数据损坏是由于部分写入非 volatile 内存而导致的。这似乎是由于写入期间的功率损耗(写入 FRAM 或信息段)造成的。

我正在使用 CRC 验证存储在这些位置的数据。

我的问题是，防止这种“部分写入”损坏的正确方法是什么？目前，我已修改我的代码以写入两个单独的 FRAM 位置。因此，如果一个写入中断导致无效的 CRC，则另一个位置应保持有效。这是一种常见的做法吗？我是否需要为任何非 volatile 内存实现这种双重写入行为？

Answer 1

一个简单的解决方案是维护 两个 版本的数据(在闪存的不同页面中)，当前版本和以前的版本。每个版本都有一个标题，其中包含一个序列号和一个验证序列号的单词 - 只是序列号的 1 的补码，例如:

---------
|  seq  |
---------
| ~seq  |
---------
|       |
| data  |
|       |
---------

关键是在写入数据的时候seq和~seq两个字都写last。

在启动时，您读取具有最高有效序列编号的数据(可能考虑回绕——尤其是对于短序列词)。当您写入数据时，您会覆盖并验证 最旧的 block 。

只要最后写入 CRC，您已经使用的解决方案就是有效的，但它缺乏简单性并且会产生不必要或不希望的 CRC 计算开销。

在 FRAM 上，您不必担心耐用性，但这是闪存和 EEPROM 的问题。在这种情况下，我使用回写式缓存方法，其中数据保存在 RAM 中，并且在修改时启动或重新启动计时器(如果它已经在运行) - 当计时器到期时，数据被写入 - 这可以防止突发写入避免破坏内存，甚至在 FRAM 上也很有用，因为它最大限度地减少了数据写入的软件开销。